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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY15E016Q-SXET |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FRAM 16KBIT SPI 16MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:16 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL S25FL256SDSMFA000 |
Storage |
16-SOIC |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:790µs|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL N04L63W2AB27I |
Storage |
48-BGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48BGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS42S16320D-7BLI |
Storage |
54-TW-BGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C25652KV18-500BZXI |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:500 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL DE28F800F3T115 |
Storage |
56-SSOP |
散裝 |
IC FLASH 8MBIT CUI 56SSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - 引導塊|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:CUI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:115 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AT49LV161T-70TI |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8,1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL 71V65903S85BG |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AS4C256M16D4A-79BCN |
Storage |
96-FBGA(7.5x13) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT POD 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:POD|時鐘頻率:1.333 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:18 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL AT28HC256-12SI |
Storage |
28-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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