Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY14B101Q3-SFXI MSL CY14B101Q3-SFXI Storage 16-SOIC 散裝 IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E1536M32DDNQ-046 WT:A MSL MT53E1536M32DDNQ-046 WT:A Storage - 託盤 IC DRAM 48GBIT FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:48Gb|記憶體組織:1.5G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S29GL01GS11TFI010 MSL S29GL01GS11TFI010 Storage 56-TSOP 託盤 FLASH - NOR MEMORY IC 1GB (64M X 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1265AB-70IND+ MSL DS1265AB-70IND+ Storage 36-EDIP 管件 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX29LV800CTTI-90G MSL MX29LV800CTTI-90G Storage 48-TSOP 託盤 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24AA00-I/SN MSL 24AA00-I/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 128BIT I2C 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128 比特|記憶體組織:16 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:3500 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S25FL128LDPMFV003 MSL S25FL128LDPMFV003 Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL CAT64LC40WI-GT3 MSL CAT64LC40WI-GT3 Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT SPI 1MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 25LC512-I/MF MSL 25LC512-I/MF Storage 8-DFN-S(6x5) 管件 IC EEPROM 512KBIT SPI 20MHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1363A-117BGC MSL CY7C1363A-117BGC Storage 119-PBGA(14x22) 散裝 IC SRAM 9MBIT PAR 117MHZ 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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