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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR MSL MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR Storage 216-FBGA(12x12) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL CY7C1565KV18-400BZXI MSL CY7C1565KV18-400BZXI Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL RM24C512C-LTAI-B MSL RM24C512C-LTAI-B Storage 8-TSSOP 管件 IC CBRAM 512KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:CBRAM®|技術:CBRAM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:128 位元組頁大小|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71V3577S80PF8 MSL IDT71V3577S80PF8 Storage 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IDT71V3577SA85BQI8 MSL IDT71V3577SA85BQI8 Storage 165-CABGA(13x15) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C0851V-167BBC MSL CY7C0851V-167BBC Storage 172-FBGA(15x15) 託盤 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 172FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29RZ8B4DZZHGPL-18 W.81U MSL MT29RZ8B4DZZHGPL-18 W.81U Storage - 散裝 IC FLASH RAM 12GBIT 記憶體類型:-|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:-|存儲容量:12Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT41K512M8RH-125 AIT:E MSL MT41K512M8RH-125 AIT:E Storage 78-FBGA(9x10.5) 託盤 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13.79 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT46H128M16LFB7-5 WT:B MSL MT46H128M16LFB7-5 WT:B Storage 60-VFBGA(10x10) 託盤 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA)
MSL IS45S32200E-7BLA1-TR MSL IS45S32200E-7BLA1-TR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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