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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT28C16E-20PC |
Storage |
24-PDIP |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL AT29C1024-15JC |
Storage |
44-PLCC(16.6x16.6) |
管件 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 44PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL CY7C1440AV25-250BZXIT |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2.6 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1412BV18-250BZXC |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AS4C8M16S-6TAN |
Storage |
54-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CY7C1518KV18-300BZC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:4M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT53B128M32D1NP-062 WT:A |
Storage |
200-WFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT 1.6GHZ 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT49BV8192AT-11TI |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8,512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:30µs|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D |
Storage |
132-TBGA(12x18) |
託盤 |
IC FLASH 128GBIT PAR 132TBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT49F001A-45JI |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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