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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL GD25WQ32ETIGR MSL GD25WQ32ETIGR Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:120µs,4ms|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71V416S10BEI MSL IDT71V416S10BEI Storage 48-CABGA(9x9) 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42S16100C1-5TL-TR MSL IS42S16100C1-5TL-TR Storage 50-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W632GU6NB12I TR MSL W632GU6NB12I TR Storage 96-VFBGA(7.5x13) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT 96-VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL CY7C1371KVE33-133AXI MSL CY7C1371KVE33-133AXI Storage 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX66U2G45GXRI54 MSL MX66U2G45GXRI54 Storage 24-CSPBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 24CSPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:512M x 4,1G x 2,2G x 1|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,1.5ms|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25DN256-SSHF-B MSL AT25DN256-SSHF-B Storage 8-SOIC 管件 IC FLASH 256KBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,1.79ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT49LV002-12TI MSL AT49LV002-12TI Storage 32-TSOP 託盤 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL 11AA040-I/SN MSL 11AA040-I/SN Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 4KBIT SGL WIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S34ML04G104BHI010 MSL S34ML04G104BHI010 Storage 63-BGA(11x9) 散裝 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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