Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL M3008316035NX0PTBR MSL M3008316035NX0PTBR Storage 54-TSOP 卷帶(TR) IC RAM 8MBIT PAR 54TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL MT62F768M32D2DS-026 WT:C MSL MT62F768M32D2DS-026 WT:C Storage 315-TFBGA(12.4x15) 託盤 IC DRAM 24GBIT LVSTL 315TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 手機 LPDDR5X|存儲容量:24Gb|記憶體組織:768M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:3.79 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.01V ~ 1.12V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC)
MSL MX25V1035FM1I MSL MX25V1035FM1I Storage 8-SOP 管件 IC FLASH 1MBIT SPI/QUAD 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:100µs,4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT49LV002-90TC MSL AT49LV002-90TC Storage 32-TSOP 託盤 IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL 11LC010-I/MS MSL 11LC010-I/MS Storage 8-MSOP 管件 IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT93C86LI-G MSL CAT93C86LI-G Storage 8-PDIP 管件 IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1354C-166BGC MSL CY7C1354C-166BGC Storage 119-PBGA(14x22) 託盤 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL EM6AA160TSE-4IG MSL EM6AA160TSE-4IG Storage 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C32M16D3-12BIN MSL AS4C32M16D3-12BIN Storage 96-FBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT53E256M16D1FW-046 AIT:B TR MSL MT53E256M16D1FW-046 AIT:B TR Storage 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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