Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S25FL128SAGMFN000 MSL S25FL128SAGMFN000 Storage 16-SOIC 託盤 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS43DR16160B-37CBLI-TR MSL IS43DR16160B-37CBLI-TR Storage 84-TWBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:266 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:500 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS7C3513B-12TCNTR MSL AS7C3513B-12TCNTR Storage 44-TSOP2 卷帶(TR) IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44TSOP2 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MB85RS128BPNF-G-JNE1 MSL MB85RS128BPNF-G-JNE1 Storage 8-SOP 管件 IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:33 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1230Y-150+ MSL DS1230Y-150+ Storage 28-EDIP 管件 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:150ns|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 11AA040T-I/TT MSL 11AA040T-I/TT Storage SOT-23-3 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT SGL WIRE SOT23-3 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD5F2GQ5REY2GR MSL GD5F2GQ5REY2GR Storage - 卷帶(TR) IC FLASH 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL TH58BYG3S0HBAI4 MSL TH58BYG3S0HBAI4 Storage 63-TFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24CS256T-I/SM MSL 24CS256T-I/SM Storage 8-SOIJ 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOIJ 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR93G86FVM-3AGTTR MSL BR93G86FVM-3AGTTR Storage 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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