Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL FEMC128GBA-E530 MSL FEMC128GBA-E530 Storage 100-FBGA(14x18) 託盤 IC FLASH 1TBIT EMMC 5.1 100FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL AT28HC256-90TU-T MSL AT28HC256-90TU-T Storage 28-TSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT45DB021B-TU MSL AT45DB021B-TU Storage 28-TSOP 託盤 IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 28TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:2Mb|記憶體組織:264 位元組 x 1024 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL BR93L56RFVT-WE2 MSL BR93L56RFVT-WE2 Storage 8-TSSOP-B 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8TSSOPB 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25256A-10TI-1.8 MSL AT25256A-10TI-1.8 Storage 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 256KBIT SPI 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL S29GL512T10TFI013 MSL S29GL512T10TFI013 Storage 56-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT41K512M8DA-107 XIT:P MSL MT41K512M8DA-107 XIT:P Storage 78-FBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL R1LP0408DSB-5SI#B1 MSL R1LP0408DSB-5SI#B1 Storage 32-TSOP II 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1350YL-70 MSL DS1350YL-70 Storage 34-LPM 管件 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 34LPM 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL DS1230YP-70IND MSL DS1230YP-70IND Storage 34-PowerCap 模块 管件 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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