Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7C1363A-117AJC MSL CY7C1363A-117AJC Storage 100-TQFP(14x20) 散裝 IC SRAM 9MBIT PAR 117MHZ 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL BR24G64FVM-5TR MSL BR24G64FVM-5TR Storage 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL FM25CL64B-GA MSL FM25CL64B-GA Storage 8-SOIC 管件 IC FRAM 64KBIT SPI 16MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:16 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL S26KL512SDABHI020 MSL S26KL512SDABHI020 Storage 24-FBGA(6x8) 託盤 FLASH - NOR MEMORY IC 512MB (64M 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:96 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT28BV64-30TI MSL AT28BV64-30TI Storage 28-TSOP 託盤 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:300 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL M93C56-RDW6TP MSL M93C56-RDW6TP Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8,128 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL ADSP1801WBCPZ400-RL MSL ADSP1801WBCPZ400-RL Storage - 卷帶(TR) SHARC W/5 MBIT RAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 71V3559S79BQ MSL 71V3559S79BQ Storage 165-CABGA(13x15) 散裝 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MTFC128GAVATTC-AIT TR MSL MTFC128GAVATTC-AIT TR Storage 153-LFBGA(11.5x13) 卷帶(TR) IC FLASH 1TBIT UFS3.1 153LFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:UFS 3.1|時鐘頻率:38.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL S6R8016W1B-XI10T MSL S6R8016W1B-XI10T Storage - 卷帶(TR) ASYNC. FAST SRAM 8M BIT, 512KX16 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-

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