Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IDT71V25761SA183BQI MSL IDT71V25761SA183BQI Storage 165-CABGA(13x15) 託盤 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:183 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL N25Q032A13E1240E MSL N25Q032A13E1240E Storage 24-T-PBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 32MBIT SPI 24TPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:8M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E1G64D4NZ-046 WT:C MSL MT53E1G64D4NZ-046 WT:C Storage 376-WFBGA(14x14) IC DRAM 64GBIT PAR 376WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:64Gb|記憶體組織:1G x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC)
MSL R1LV5256ESA-7SI#S0 MSL R1LV5256ESA-7SI#S0 Storage 28-TSOP 卷帶(TR) IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SM671PEDLBFSS MSL SM671PEDLBFSS Storage 153-BGA(11.5x13) 散裝 IC FLASH 320GBIT UFS3.1 153BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:320Gb|記憶體組織:40G x 8|記憶體介面:UFS3.1|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL 70T3589S133BC MSL 70T3589S133BC Storage 256-CABGA(17x17) 託盤 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F128G08CFABAWP:B TR MSL MT29F128G08CFABAWP:B TR Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT41K2G4RKB-107:P TR MSL MT41K2G4RKB-107:P TR Storage 78-FBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:2G x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL M3016316045NX0PBCY MSL M3016316045NX0PBCY Storage 484-CABGA(23x23) 託盤 IC RAM 16MBIT PAR 484CABGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL MT42L128M64D2LL-25 WT:A TR MSL MT42L128M64D2LL-25 WT:A TR Storage 216-FBGA(12x12) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:8Gb|記憶體組織:128M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)

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