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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL S70KL1282GABHI023 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 128MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W63AH2NBVADE |
Storage |
178-VFBGA(11x11.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT29F8G08ADBDAH4:D |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
散裝 |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT29F8G08FACWP:C TR |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT47H32M16BN-25E IT:D TR |
Storage |
84-FBGA(10x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT53B512M16D1Z11MWC2 MS |
Storage |
- |
散裝 |
IC DRAM 8GBIT DIE |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL 71342SA25PF |
Storage |
64-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL FT24C32A-UMR-B |
Storage |
8-MSOP |
管件 |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:800 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:700 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL W25Q128FVBJQ TR |
Storage |
24-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL SST39WF1601-90-4I-MBQE |
Storage |
48-WFBGA(5x6) |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:40µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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