Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 24FC02T-E/OT MSL 24FC02T-E/OT Storage SOT-23-5 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ SOT23-5 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MR10Q010VSCR MSL MR10Q010VSCR Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC RAM 1MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL 6116SA25SOGI8 MSL 6116SA25SOGI8 Storage 24-SOIC 卷帶(TR) IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL SST38VF6401-90-5C-EKE-T MSL SST38VF6401-90-5C-EKE-T Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL NM27C020Q120 MSL NM27C020Q120 Storage 32-CDIP 管件 IC EPROM 2MBIT PARALLEL 32CDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - UV|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C8M16S-6TCNTR MSL AS4C8M16S-6TCNTR Storage 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS61WV20488BLL-10MLI-TR MSL IS61WV20488BLL-10MLI-TR Storage 48-迷你型BGA(9x11) 卷帶(TR) IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 93LC46C-I/MS MSL 93LC46C-I/MS Storage 8-MSOP 管件 IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C64M16MD1A-5BIN MSL AS4C64M16MD1A-5BIN Storage 60-FBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 25LC040AT-I/MNY MSL 25LC040AT-I/MNY Storage 8-TDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT SPI 10MHZ 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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