Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29F2T08GELCEJ4-QB:C TR MSL MT29F2T08GELCEJ4-QB:C TR Storage - 卷帶(TR) IC FLASH 2TBIT VBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:2Tb|記憶體組織:256G x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S25FS128SDSBHV203 MSL S25FS128SDSBHV203 Storage 24-BGA(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL AT25QF641B-SHB-B MSL AT25QF641B-SHB-B Storage 8-SOIC 管件 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MT47H64M16HR-3:H TR MSL MT47H64M16HR-3:H TR Storage 84-FBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)
MSL 93AA66CT-I/MNY MSL 93AA66CT-I/MNY Storage 8-TDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS42RM32800K-6BLI MSL IS42RM32800K-6BLI Storage 90-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL RD38F1020C0ZTL0SB93 MSL RD38F1020C0ZTL0SB93 Storage 66-SCSP(8x14) 託盤 IC FLASH RAM 32MBIT PAR 66SCSP 記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH,SRAM|存儲容量:32Mb(閃存),8Mb(RAM)|記憶體組織:-|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.3V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC)
MSL W25N04KWZEIR MSL W25N04KWZEIR Storage 8-WSON(8x6) 管件 IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR93G76F-3BGTE2 MSL BR93G76F-3BGTE2 Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT SPI 3MHZ 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:512 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70V27L15PFGI MSL 70V27L15PFGI Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields