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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C131-55NXCT |
Storage |
52-PQFP(10x10) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS46TR16128B-15HBLA2 |
Storage |
96-TWBGA(9x13) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL IDT71P72804S167BQGI |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NMC27C32BQ200 |
Storage |
24-DIP |
管件 |
IC EPROM 32KBIT PARALLEL 24DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - UV|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S25FL032P0XBHI020 |
Storage |
24-BGA(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25Q32FVSSJQ TR |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL W25Q64FVZPJQ TR |
Storage |
8-WSON(6x5) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S3A3204V0M-AI1AT |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
MRAM MEMORY IC 32MBIT QSPI 3.3V |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:8M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25N01KWZEIR TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
1GB SERIAL NAND FLASH, 1.8V, BUF |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT62F4G32D8DV-023 AIT:B TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128GBIT PAR FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:128Gb|記憶體組織:4G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:4.266 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 95°C |
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