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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29F128G08CFABBWP-12:B TR MSL MT29F128G08CFABBWP-12:B TR Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:83 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT46V32M16CY-5B XIT:J TR MSL MT46V32M16CY-5B XIT:J TR Storage 60-FBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1515KV18-300BZI MSL CY7C1515KV18-300BZI Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:72Mb|記憶體組織:2M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS21ES16G-JCLI MSL IS21ES16G-JCLI Storage 153-VFBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 128GBIT EMMC 153VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT53E256M32D2DS-046 WT:B MSL MT53E256M32D2DS-046 WT:B Storage 200-WFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL M95040-WMN6 MSL M95040-WMN6 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 4KBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1462KVE25-167BZI MSL CY7C1462KVE25-167BZI Storage 165-FBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT MSL MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT Storage 137-VFBGA(13x10.5) 散裝 IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA 記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:閃存 - NAND,移動 LPDRAM|存儲容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDRAM)|記憶體組織:256M x 16(NAND),128M x 32(LPDRAM)|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F256G08CECABH6-6:A MSL MT29F256G08CECABH6-6:A Storage 152-VBGA(14x18) 散裝 IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MTFC128GASAONS-AAT MSL MTFC128GASAONS-AAT Storage 153-TFBGA(11.5x13) IC FLASH 1TBIT UFS2.1 153TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:UFS2.1|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)

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