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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 23LC1024-I/ST |
Storage |
8-TSSOP |
管件 |
IC SRAM 1MBIT SPI/QUAD 8TSSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS49RL36160A-093EBLI |
Storage |
168-FBGA(13.5x13.5) |
託盤 |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:RLDRAM 3|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL M95256-RMB6TG |
Storage |
8-UFDFPN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8UFDFPN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT27C512R-70PU |
Storage |
28-PDIP |
管件 |
IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL CY7C1420KV18-250BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1021DV33-10VXI |
Storage |
44-SOJ |
管件 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24FC64FT-I/OT |
Storage |
SOT-23-5 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT I2C SOT23-5 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR |
Storage |
200-WFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:12Gb|記憶體組織:384M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IS25LP256D-JLLE |
Storage |
8-WSON(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL MX25V2006EZNI-13G |
Storage |
8-WSON(6x5) |
託盤 |
IC FLASH 2MBIT SPI 79MHZ 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:50µs,1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.35V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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