Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MX25L25673GZNI-08G MSL MX25L25673GZNI-08G Storage 8-WSON(6x5) 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:120 MHz|寫週期時間 - 字,頁:30µs,790µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V67703S80PFG8 MSL 71V67703S80PFG8 Storage 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C024-25AXC MSL CY7C024-25AXC Storage 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:4K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS65WV12816BLL-55BLA3 MSL IS65WV12816BLL-55BLA3 Storage 48-TFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL N25S818HAT21IT MSL N25S818HAT21IT Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC SRAM 256KBIT SPI 16MHZ 8TSSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:16 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1270W-150# MSL DS1270W-150# Storage 36-EDIP 管件 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:150ns|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS25LP02GJ-RHLE MSL IS25LP02GJ-RHLE Storage - 託盤 2GB QPI/QSPI, 24-BALL TFBGA 6X8M 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S29GL01GS11TFB010 MSL S29GL01GS11TFB010 Storage 56-TSOP 託盤 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL CY7C1399B-15ZC MSL CY7C1399B-15ZC Storage 28-TSOP I IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C32M16MD1A-5BCN MSL AS4C32M16MD1A-5BCN Storage 60-FBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TJ)

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