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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL N25Q256A83E1241F |
Storage |
24-T-PBGA(6x8) |
散裝 |
IC FLASH 256MBIT SPI 24TPBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:64M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SST39WF1602-90-4C-MBQE |
Storage |
48-WFBGA(6x4) |
託盤 |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:40µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT27LV512A-12TC |
Storage |
28-TSOP |
託盤 |
IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL IS45S16100H-7BLA1 |
Storage |
60-TFBGA(6.4x10.1) |
託盤 |
IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NDS38PT5-20IT |
Storage |
54-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT27LV256A-90JU-T |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
卷帶(TR) |
IC EPROM 256KBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V,4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL CY7C1021B-15ZXIT |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD5F2GM7UEWIGR |
Storage |
8-WSON(5x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:600µs|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W634GU8RB-11 |
Storage |
78-VFBGA(8x10.5) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT PAR 78VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 24AA1026-I/ST |
Storage |
8-TSSOP |
管件 |
IC EEPROM 1MBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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