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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7C1320CV18-267BZXC MSL CY7C1320CV18-267BZXC Storage 165-FBGA(13x15) 託盤 IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,DDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:267 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY62136VLL-55BAIT MSL CY62136VLL-55BAIT Storage 48-FBGA(7x7) 散裝 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS61NLP25618EC-200TQLI-TR MSL IS61NLP25618EC-200TQLI-TR Storage 100-LQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS6C62256-55SCN MSL AS6C62256-55SCN Storage 28-SOP 管件 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AS4C8M16D1-5BIN MSL AS4C8M16D1-5BIN Storage 60-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX25L25735EZNI-12G MSL MX25L25735EZNI-12G Storage 8-WSON(8x6) 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI 80MHZ 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:300µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24LC08BH-I/ST MSL 24LC08BH-I/ST Storage 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 8KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:256 x 8 x 4|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX66L51259FMI-10G MSL MX66L51259FMI-10G Storage 16-SOP 管件 IC FLASH 512MBIT SPI 16SOP 記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:512Mb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL RC28F256P30T85B TR MSL RC28F256P30T85B TR Storage 64-EasyBGA(10x13) 卷帶(TR) IC FLASH 256MBIT PAR 64EASYBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS4C32M16SB-7BINTR MSL AS4C32M16SB-7BINTR Storage 54-FBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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