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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT48LC2M32B2B5-6A IT:J TR |
Storage |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29VS064RABBHI000 |
Storage |
44-FBGA(7.5x5) |
託盤 |
FLASH - NOR MEMORY IC 64MB (4M X |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:80 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 23LCV512-E/P |
Storage |
8-PDIP |
管件 |
IC SRAM 512KBIT SPI/DUAL 8DIP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL M3008316045NX0IBCY |
Storage |
48-FBGA(10x10) |
託盤 |
IC RAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL 24LC32AT-E/MS |
Storage |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MT58L64L32FT-10 |
Storage |
100-TQFP |
託盤 |
SRAM SYNC 2MB 64KX32 3.3V 100-TQ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 24VL014T/OT |
Storage |
SOT-23-6 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT I2C SOT23-6 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.5V ~ 3.6V|工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29GL128P90FAIR10 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71T79802S133PFG8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71V2556SA133BG8 |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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