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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL BR24C16-RDS6TP |
Storage |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BY25Q80AWUIG(R) |
Storage |
8-USON(2x3) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL R1EX24128BSAS0I#U0 |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24CS256-E/SM |
Storage |
8-SOIJ |
管件 |
IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIJ |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL S3A4004V0M-JI1AT |
Storage |
8-WSON(6x5) |
卷帶(TR) |
MRAM MEMORY IC 4MBIT QSPI 3.3V 1 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:1M x 4|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD25Q32ETJGR |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:140µs,4ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL MT29F512G08EBLEEB47R3WC1-R |
Storage |
模具 |
散裝 |
IC FLASH 512GBIT DIE |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL CAT28LV256G25 |
Storage |
32-PLCC(11.43x13.97) |
託盤 |
IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:250 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CAT24C16ZI-GT3 |
Storage |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS6C8008B-45BINTR |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 8MBIT PAR |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 單端口,非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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