Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL S25FL064LABBHN023 MSL S25FL064LABBHN023 Storage 24-BGA(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL AT28C64B-15JI MSL AT28C64B-15JI Storage 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL MT58L512V18PT-6 MSL MT58L512V18PT-6 Storage 100-TQFP(14x20.1) 散裝 IC SRAM 8MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - Standard|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT62F768M32D2DS-023 WT:C MSL MT62F768M32D2DS-023 WT:C Storage 315-TFBGA(12.4x15) 託盤 IC DRAM 24GBIT LVSTL 315TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 手機 LPDDR5X|存儲容量:24Gb|記憶體組織:768M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:4.266 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.01V ~ 1.12V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC)
MSL GS88036CGT-333I MSL GS88036CGT-333I Storage 100-TQFP(20x14) 託盤 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,標準|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43QR85120B-083RBL MSL IS43QR85120B-083RBL Storage 78-TWBGA(10x14) 散裝 IC DRAM 4GBIT POD 78TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:POD|時鐘頻率:1.2 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL BR24C02-RMN6TP MSL BR24C02-RMN6TP Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V3558S100PFGI8 MSL 71V3558S100PFGI8 Storage 100-TQFP(14x14) 卷帶(TR) IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT93C46BWI-GT3 MSL CAT93C46BWI-GT3 Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT34C02C-THDD-T MSL AT34C02C-THDD-T Storage 8-TSSOP 散裝 IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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