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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT47H128M8CF-3 AAT:H TR MSL MT47H128M8CF-3 AAT:H TR Storage 60-FBGA(8x10) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL MT62F1G128D8AK-031 XT:B TR MSL MT62F1G128D8AK-031 XT:B TR Storage - 卷帶(TR) IC DRAM 128GBIT FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:128Gb|記憶體組織:1G x 128|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL AT28LV010-20JC MSL AT28LV010-20JC Storage 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL MT53E2G32D4DE-046 AAT:A MSL MT53E2G32D4DE-046 AAT:A Storage 200-TFBGA(10x14.5) IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:64Gb|記憶體組織:2G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL MT40A512M8RH-079E IT:B TR MSL MT40A512M8RH-079E IT:B TR Storage 78-FBGA(9x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.33 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL MT53D384M64D4NY-046 XT:D MSL MT53D384M64D4NY-046 XT:D Storage - 託盤 IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:24Gb|記憶體組織:384M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 105°C(TC)
MSL AS5F34G04SND-08LIN MSL AS5F34G04SND-08LIN Storage 8-LGA(8x6) 託盤 IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8LGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:120 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 70T633S10BF8 MSL 70T633S10BF8 Storage 208-CABGA(15x15) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT48LC4M16A2B4-6A:J MSL MT48LC4M16A2B4-6A:J Storage 54-VFBGA(8x8) 託盤 IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT49H64M9CBM-25E:B MSL MT49H64M9CBM-25E:B Storage 144-µBGA(18.5x11) 散裝 IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:64M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)

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