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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT47H128M8CF-3 AAT:H TR |
Storage |
60-FBGA(8x10) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:333 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:450 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL MT62F1G128D8AK-031 XT:B TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128GBIT FBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:128Gb|記憶體組織:1G x 128|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL AT28LV010-20JC |
Storage |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC EEPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL MT53E2G32D4DE-046 AAT:A |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
盒 |
IC DRAM 64GBIT PAR 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:64Gb|記憶體組織:2G x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL MT40A512M8RH-079E IT:B TR |
Storage |
78-FBGA(9x10.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.33 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT53D384M64D4NY-046 XT:D |
Storage |
- |
託盤 |
IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:24Gb|記憶體組織:384M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 105°C(TC) |
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MSL AS5F34G04SND-08LIN |
Storage |
8-LGA(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 4GBIT SPI/QUAD 8LGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:120 MHz|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 70T633S10BF8 |
Storage |
208-CABGA(15x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 2.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT48LC4M16A2B4-6A:J |
Storage |
54-VFBGA(8x8) |
託盤 |
IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT49H64M9CBM-25E:B |
Storage |
144-µBGA(18.5x11) |
散裝 |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:64M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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