Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL IS45S32800J-6BLA1 MSL IS45S32800J-6BLA1 Storage 90-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24AA16T-E/MNY MSL 24AA16T-E/MNY Storage 8-TDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT I2C 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL GS82582D20GE-550I MSL GS82582D20GE-550I Storage 165-FPBGA(15x17) 託盤 IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 四端口,同步,QDR II+|存儲容量:288Mb|記憶體組織:16M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:550 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ)
MSL AT28C256F-15JA MSL AT28C256F-15JA Storage 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
MSL M34C02-WMN6T MSL M34C02-WMN6T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS41LV16100C-50KLI-TR MSL IS41LV16100C-50KLI-TR Storage 42-SOJ 卷帶(TR) IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM - EDO|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 25LC010A-I/ST MSL 25LC010A-I/ST Storage 8-TSSOP 管件 IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT25080HU2E-GT3 MSL CAT25080HU2E-GT3 Storage - 散裝 CAT25080 - EEPROM 8KBIT 1K X 8 1 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL CY62136VNLL-55ZSXA MSL CY62136VNLL-55ZSXA Storage 44-TSOP II 託盤 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT62F768M64D4AS-026 XT:B TR MSL MT62F768M64D4AS-026 XT:B TR Storage - 卷帶(TR) IC DRAM 48GBIT FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-

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