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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL M95256-DFMN6TP |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT28BV256-20TC |
Storage |
28-TSOP |
託盤 |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:200 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL MT41K512M16TNA-125 M:E TR |
Storage |
96-FBGA(10x14) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:512M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13.5 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 08EP08-N3GTC32-GA67 |
Storage |
136-FBGA (10x10) |
託盤 |
IC FLASH RAM 64GBIT EMMC 136FBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH - NAND,DRAM - LPDDR|存儲容量:8GByte(NAND),8Gb(LPDDR3 DRAM)|記憶體組織:-|記憶體介面:eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V,3.3V|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL IS29GL256-70FLEB-TR |
Storage |
64-LFBGA(11x13) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT CFI 64LFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:CFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns,200µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL SST25VF040B-50-4C-SAF |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AM27S25APC |
Storage |
24-PDIP |
散裝 |
IC PROM 4KBIT PARALLEL 24DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:PROM|技術:-|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:30 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:0°C ~ 79°C(TA) |
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MSL S29GL01GS12FHIV10 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
託盤 |
FLASH - NOR MEMORY IC 1GB (64M X |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93C86C-E/P |
Storage |
8-PDIP |
管件 |
IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL SST39VF010-70-4I-NHE |
Storage |
32-PLCC(11.43x13.97) |
管件 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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