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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL M93C86-MN6T |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8,1K x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS43LQ16128A-062TBLI |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 54F189DC |
Storage |
16-CDIP |
散裝 |
STANDARD SRAM, 16X4, 27NS |
記憶體類型:易失|記憶體格式:RAM|技術:RAM|存儲容量:64 比特|記憶體組織:16 x 4|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15.5ns|訪問時間:8.5 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL SM662GED BFST |
Storage |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 1TBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:1Tb|記憶體組織:128G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL CAT24C16TDI-GT3 |
Storage |
TSOT-23-5 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT I2C TSOT23-5 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W25Q64JVSFIM |
Storage |
16-SOIC |
管件 |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL TH58NVG3S0HBAI4 |
Storage |
63-TFBGA(9x11) |
託盤 |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL GD25LR128EYIGR |
Storage |
8-WSON(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S26KS128SDABHI030 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
散裝 |
IC FLASH 128MBIT PAR 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:96 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V546S133PFG |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
散裝 |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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