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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 24LC014T-E/MS |
Storage |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL W25X40AVDAIZ |
Storage |
8-PDIP |
管件 |
IC FLASH 4MBIT SPI 100MHZ 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W66BQ2NQQAHJ |
Storage |
200-TFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 06 200TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:LVSTL_06|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL S29JL032J70TFI410 |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8,2M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 23AA02M-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC SRAM 2MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL PC28F128P33BF60A |
Storage |
64-EasyBGA(10x13) |
託盤 |
IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:60 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL CY7C1020DV33-10ZSXI |
Storage |
44-TSOP II |
託盤 |
IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V65903S80BQ |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MX60LF8G28AD-TI |
Storage |
48-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:700µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29VS064RABBHI000 |
Storage |
44-FBGA(7.5x5) |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 44FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:80 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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