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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL EM6HE08EW9G-10H |
Storage |
78-FBGA(7.5x10.6) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT62F3G32D8DV-023 AIT:B TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 96GBIT LVSTL 315LFBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:96Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT48H16M32L2B5-8 IT TR |
Storage |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:125 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS25LP128F-JLLE |
Storage |
8-WSON(8x6) |
管件 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL MX25U6435FM2I-10G |
Storage |
8-SOP |
管件 |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:30µs,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1007B-15VXC |
Storage |
28-SOJ |
散裝 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 28SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:1M x 1|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 93LC66AX-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1049DV33-10VXIT |
Storage |
36-SOJ |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 93LC56A-I/SN |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IDT7164LS20Y |
Storage |
28-SOJ |
管件 |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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