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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MT29F512G08CUCABH3-10:A TR MSL MT29F512G08CUCABH3-10:A TR Storage 100-LBGA(12x18) 卷帶(TR) IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS21ES32G-JQLI MSL IS21ES32G-JQLI Storage 100-LFBGA(14x18) 託盤 IC FLASH 256GBIT EMMC 100LFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL TC58CVG2S0HRAIJ MSL TC58CVG2S0HRAIJ Storage 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 4GBIT SPI 133MHZ 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:300 µs|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL MT29F2T08EMLEEJ4-T:E MSL MT29F2T08EMLEEJ4-T:E Storage 132-VBGA(12x18) IC FLASH 2TBIT VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:2Tb|記憶體組織:256G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.6V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C
MSL MT62F2G64D8AS-026 XT:C TR MSL MT62F2G64D8AS-026 XT:C TR Storage - 卷帶(TR) IC DRAM 128GBIT VFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:128Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS46TR82560B-15HBLA2 MSL IS46TR82560B-15HBLA2 Storage 78-TWBGA(8x10.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT PAR 78TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL CY7C1061AV33-10BAC MSL CY7C1061AV33-10BAC Storage 60-FBGA(8x20) 託盤 IC SRAM 16MBIT PARALLEL 60FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT41DCHA-V80A:E MSL MT41DCHA-V80A:E Storage - 散裝 IC DRAM 4GBIT FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL 24CS512T-E/MUY MSL 24CS512T-E/MUY Storage 8-UDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL MT46H128M16LFB7-6 WT:B MSL MT46H128M16LFB7-6 WT:B Storage 60-VFBGA(10x10) 託盤 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA)

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