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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT29F512G08CUCABH3-10:A TR |
Storage |
100-LBGA(12x18) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:512Gb|記憶體組織:64G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS21ES32G-JQLI |
Storage |
100-LFBGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 256GBIT EMMC 100LFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL TC58CVG2S0HRAIJ |
Storage |
8-WSON(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 4GBIT SPI 133MHZ 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:300 µs|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL MT29F2T08EMLEEJ4-T:E |
Storage |
132-VBGA(12x18) |
盒 |
IC FLASH 2TBIT VBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(TLC)|存儲容量:2Tb|記憶體組織:256G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.6V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C |
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MSL MT62F2G64D8AS-026 XT:C TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128GBIT VFBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:128Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL IS46TR82560B-15HBLA2 |
Storage |
78-TWBGA(8x10.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PAR 78TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL CY7C1061AV33-10BAC |
Storage |
60-FBGA(8x20) |
託盤 |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT41DCHA-V80A:E |
Storage |
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散裝 |
IC DRAM 4GBIT FBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:4Gb|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL 24CS512T-E/MUY |
Storage |
8-UDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:400 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MT46H128M16LFB7-6 WT:B |
Storage |
60-VFBGA(10x10) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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