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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL 71V67602S166PFG |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
散裝 |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS61NLF102418-7.5TQLI |
Storage |
100-LQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:256M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MTFC32GAPALBH-IT |
Storage |
153-TFBGA(11.5x13) |
託盤 |
IC FLASH 256GBIT MMC 153TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:256Gb|記憶體組織:32G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT27C512R-90RC |
Storage |
28-SOIC |
管件 |
IC EPROM 512KBIT PARALLEL 28SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL CY7C1062DV33-10BGI |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:512K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS25WP256D-RHLE |
Storage |
24-TFBGA(6x8) |
散裝 |
IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CY7C2263XV18-633BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II+|存儲容量:36Mb|記憶體組織:2M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:633 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S-24CS04AFJ-TBH-U |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT I2C 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:350 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:1 µs|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL M25PE10-VMN6TPBA TR |
Storage |
8-SO |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1MBIT SPI 79MHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms,3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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