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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AT25020AN-10SI-1.8 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL DS1230Y-X15 |
Storage |
28-EDIP |
散裝 |
3.3 VOLT, 256 K NONVOLATILE SRAM |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:150ns|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 24AA04T-I/MS |
Storage |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL FLXC2004G-30 |
Storage |
- |
託盤 |
32GB LPDDR4/4X X32 -25C +85C 373 |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4GB(DRAM)|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:LPDDR4X|時鐘頻率:1866 MHz|寫週期時間 - 字,頁:535ps|訪問時間:-|電壓 - 供電:0.6V,1.1V|工作溫度:-25°C ~ 85°C |
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MSL CAT28C64BG-12T |
Storage |
32-PLCC(11.43x13.97) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 11LC010T-E/TT |
Storage |
SOT-23-3 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE SOT23-3 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AT45DB041A-TC-2.5 |
Storage |
28-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 4MBIT SPI 10MHZ 28TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:264 位元組 x 2048 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 3V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL S25FS512SFABHM210 |
Storage |
24-BGA(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:102 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AT93C66B-MAHM-T |
Storage |
8-UDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT 3-WIRE 8MINI MAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:3 線串口|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL SST39VF512-70-4I-WHE-T |
Storage |
32-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 512KBIT PARALLEL 32TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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