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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL DS1245ABP-70 |
Storage |
34-PowerCap 模块 |
管件 |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71V016SA15YGI |
Storage |
44-SOJ |
管件 |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:64K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C1426KV18-300BZXC |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:4M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS42S16100C1-5TL |
Storage |
50-TSOP II |
託盤 |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT41K1G8SN-125:A TR |
Storage |
78-FBGA(9x13.2) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:13.79 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL SM662PXC-ACS |
Storage |
- |
託盤 |
IC FLASH 64GBIT EMMC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL IS61LV12824-10B |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:3Mb|記憶體組織:128K x 24|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL N25Q064A11ESE40G |
Storage |
8-SO |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT SPI 108MHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:16M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S25FL132K0XNFV011 |
Storage |
8-WSON(5x6) |
管件 |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:32Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IDT71V3556S133BG |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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