Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7C1461KV33-133AXC MSL CY7C1461KV33-133AXC Storage 100-TQFP(14x20) 託盤 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:36Mb|記憶體組織:1M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT62F768M64D4CZ-023 AUT:C MSL MT62F768M64D4CZ-023 AUT:C Storage - 託盤 IC DRAM 48GBIT FBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT44K16M36RB-093F:B MSL MT44K16M36RB-093F:B Storage 168-BGA(13.5x13.5) 託盤 IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:DRAM|存儲容量:576Mb|記憶體組織:16M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.066 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.28V ~ 1.42V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL M29W010B90K1 MSL M29W010B90K1 Storage 32-PLCC(11.35x13.89) 管件 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:90ns|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT42L256M32D2LK-18 WT:A TR MSL MT42L256M32D2LK-18 WT:A TR Storage 216-FBGA(12x12) 卷帶(TR) IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:8Gb|記憶體組織:256M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL TC58CYG0S3HRAIJ MSL TC58CYG0S3HRAIJ Storage 8-WSON(6x8) 託盤 IC FLASH 1GBIT SPI 133MHZ 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:180 µs|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL MT48LC16M16A2B4-7E:G TR MSL MT48LC16M16A2B4-7E:G TR Storage 54-VFBGA(8x8) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL GS81282Z36GB-250I MSL GS81282Z36GB-250I Storage 119-FPBGA(22x14) 託盤 IC SRAM 144MBIT PAR 119FPBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,ZBT|存儲容量:144Mb|記憶體組織:4M x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ)
MSL EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR MSL EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR Storage 134-FBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL 71V416L12BEI8 MSL 71V416L12BEI8 Storage 48-CABGA(9x9) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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