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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL LC35256FT70UHSTLM-E MSL LC35256FT70UHSTLM-E Storage - 散裝 256K STATIC RAMS 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL DS28E04S-100+T MSL DS28E04S-100+T Storage 16-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT 1-WIRE 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 16|記憶體介面:1-Wire®|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:2 µs|電壓 - 供電:-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS45S32800J-7TLA1 MSL IS45S32800J-7TLA1 Storage 86-TSOP II 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR MSL MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR Storage 100-LBGA(14x18) 卷帶(TR) IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:64Gb|記憶體組織:8G x 8|記憶體介面:MMC|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1346H-166AXCT MSL CY7C1346H-166AXCT Storage 100-TQFP(14x20) 散裝 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:2Mb|記憶體組織:64K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL IS42S32400B-6BL-TR MSL IS42S32400B-6BL-TR Storage 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MR25H10CDC MSL MR25H10CDC Storage 8-DFN-EP,大型标志(5x6) 託盤 IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43TR16128CL-125KBL MSL IS43TR16128CL-125KBL Storage 96-TWBGA(9x13) 散裝 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL IME5108SDBETG-79I MSL IME5108SDBETG-79I Storage 54-TSOP II 託盤 ECC SDRAM, 512MB, 3.3V, 64MX8, 1 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS43R83200D-6TL-TR MSL IS43R83200D-6TL-TR Storage 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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