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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL AS4C64M16D3LC-12BCN |
Storage |
96-FBGA(7.5x13) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL W25R512JVFIN TR |
Storage |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC FLASH 512MBIT SPI 16SOIC |
記憶體類型:-|記憶體格式:閃存|技術:-|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL S-25A160B0A-K8T2U3 |
Storage |
8-TMSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 16KBIT SPI 8TMSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:6.5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MT58V512V32FT-8.5 |
Storage |
100-TQFP(14x20.1) |
散裝 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - Standard|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL BR25L320F-WE2 |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 32KBIT SPI 5MHZ 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S25FL064LABMFV011 |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL 71V35761S200BG |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.1 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT46V64M8CV-5B IT:J TR |
Storage |
60-FBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.5V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT61K512M32KPA-14:C |
Storage |
180-FBGA(12x14) |
盒 |
IC DRAM 16GBIT POD 180FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SGRAM - GDDR6|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:POD_135|時鐘頻率:7 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.3095V ~ 1.3905V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 25LC1024-I/MF |
Storage |
8-DFN-S(6x5) |
管件 |
IC EEPROM 1MBIT SPI 20MHZ 8DFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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