Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL TH58BVG3S0HBAI4 MSL TH58BVG3S0HBAI4 Storage 63-TFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 8GBIT PAR 63TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AS7C34098B-10BAN MSL AS7C34098B-10BAN Storage 48-TFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL AS7C34098A-12JIN MSL AS7C34098A-12JIN Storage 44-SOJ 管件 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS21EF16G-JQLI MSL IS21EF16G-JQLI Storage 100-LFBGA(14x18) 託盤 IC FLASH 128GBIT EMMC 100FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M25P40-VMN3TP/X TR MSL M25P40-VMN3TP/X TR Storage 8-SO 剪切帶(CT) IC FLASH 4MBIT 50MHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL CAT25256HU4I-GT3 MSL CAT25256HU4I-GT3 Storage 8-UDFN-EP(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 256KBIT SPI 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR MSL MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR Storage 56-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8,64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:105 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL BY25D80ASTJG(R) MSL BY25D80ASTJG(R) Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI/DUAL 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2.4ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL CAT28C64BWI-12T MSL CAT28C64BWI-12T Storage 28-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT46V16M16TG-79 L:F TR MSL MT46V16M16TG-79 L:F TR Storage 66-TSOP 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:790 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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