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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL TH58BVG3S0HBAI4 |
Storage |
63-TFBGA(9x11) |
託盤 |
IC FLASH 8GBIT PAR 63TFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:8Gb|記憶體組織:1G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AS7C34098B-10BAN |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL AS7C34098A-12JIN |
Storage |
44-SOJ |
管件 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS21EF16G-JQLI |
Storage |
100-LFBGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 128GBIT EMMC 100FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:128Gb|記憶體組織:16G x 8|記憶體介面:eMMC_5.1|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M25P40-VMN3TP/X TR |
Storage |
8-SO |
剪切帶(CT) |
IC FLASH 4MBIT 50MHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL CAT25256HU4I-GT3 |
Storage |
8-UDFN-EP(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8UDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:10 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR |
Storage |
56-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8,64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:105 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL BY25D80ASTJG(R) |
Storage |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 8MBIT SPI/DUAL 8SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 雙 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2.4ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL CAT28C64BWI-12T |
Storage |
28-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT46V16M16TG-79 L:F TR |
Storage |
66-TSOP |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:790 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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