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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL KTDM2G3C818BGIEAT MSL KTDM2G3C818BGIEAT Storage - 散裝 DRAM DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL Q6422XM3BDGVK-U MSL Q6422XM3BDGVK-U Storage 200-FBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 64GBIT PAR 200FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:64Gb|記憶體組織:4G x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC)
MSL M24C08-FMB5TG MSL M24C08-FMB5TG Storage 8-UFDFPN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 8UFDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1061GE18-15BVXI MSL CY7C1061GE18-15BVXI Storage 48-VFBGA(6x8) 託盤 IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL KM616BV4002J-12 MSL KM616BV4002J-12 Storage 36-SOJ 管件 SRAM ASYNC FAST 4MB 256KX16 3.3V 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V67803S150BG MSL 71V67803S150BG Storage 119-PBGA(14x22) 散裝 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:150 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S25HS512TDPMHV010 MSL S25HS512TDPMHV010 Storage 16-SOIC 託盤 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR MSL MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR Storage 200-WFBGA(11x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC)
MSL MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D MSL MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D Storage 200-VFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:32Gb|記憶體組織:1G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL IS46LQ16256B-062BLA1-TR MSL IS46LQ16256B-062BLA1-TR Storage 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) AUTOMOTIVE (TC: -40 TO +95C), 4G 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)

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