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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS62WV1288BLL-55HI-TR |
Storage |
32-sTSOP I |
卷帶(TR) |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29F32G08FAAWP-ET:A TR |
Storage |
48-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IDT71V3556S133BQGI8 |
Storage |
165-CABGA(13x15) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:128K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL DS1258Y-70 |
Storage |
40-EDIP |
管件 |
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 71321LA55TFG |
Storage |
64-TQFP |
管件 |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 64TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT62F768M64D4CZ-023 AUT:C TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 48GBIT FBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR5|存儲容量:48Gb|記憶體組織:768M x 64|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL MT47H128M8BT-37E:A |
Storage |
92-FBGA(11x19) |
盒 |
IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:267 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:400 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
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MSL M29W040B55K6E |
Storage |
32-PLCC(11.35x13.89) |
管件 |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT42L256M64D4LM-18 WT:A TR |
Storage |
216-FBGA(12x12) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16GBIT PAR 216FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:16Gb|記憶體組織:256M x 64|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V|工作溫度:-30°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT53E2G32D4DT-046 AIT:A TR |
Storage |
- |
卷帶(TR) |
IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:64Gb|記憶體組織:2G x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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