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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL PC28F256P33T85A |
Storage |
64-EasyBGA(8x10) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT PAR 64EASYBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:52 MHz|寫週期時間 - 字,頁:85ns|訪問時間:85 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL GS8256418GB-250I |
Storage |
119-FPBGA(22x14) |
託盤 |
IC SRAM 288MBIT PAR 119FPBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,標準|存儲容量:288Mb|記憶體組織:16M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V,3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ) |
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MSL 71V67803S133PFG8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:512K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.2 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1426AV18-300BZXC |
Storage |
165-FBGA(15x17) |
託盤 |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:36Mb|記憶體組織:4M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:300 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL NAND01GW3B2CZA6E |
Storage |
63-VFBGA(9.5x12) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL TC58CVG0S3HQAIE |
Storage |
16-SOP |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 16SOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:155 µs|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL P770011C-F9C379 |
Storage |
- |
散裝 |
IC MEMORY |
記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
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MSL CY7C1474BV25-167BGC |
Storage |
209-FBGA(14x22) |
託盤 |
IC SRAM 72MBIT PAR 209FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:72Mb|記憶體組織:1M x 72|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS46LQ32640A-062BLA2 |
Storage |
200-VFBGA(10x14.5) |
散裝 |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 200VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:2Gb|記憶體組織:64M x 32|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL DS1245Y-70IND |
Storage |
32-EDIP |
管件 |
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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