Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY7C1354A-166AI MSL CY7C1354A-166AI Storage 100-TQFP(14x20) 散裝 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.6 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL EM008LXQBDH13ES2R MSL EM008LXQBDH13ES2R Storage 8-DFN(5x6) 卷帶(TR) IC RAM 8MBIT XSPI 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL R1LV0208BSA-5SR#B0 MSL R1LV0208BSA-5SR#B0 Storage - 散裝 STANDARD SRAM, 256KX8, 55NS 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S26HS01GTFPBHB030 MSL S26HS01GTFPBHB030 Storage 24-FBGA(8x8) 託盤 IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:1.7ms|訪問時間:5.45 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL S26KS512SDGBHI030 MSL S26KS512SDGBHI030 Storage 24-FBGA(6x8) 散裝 IC FLASH 512MBIT PAR 24FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:96 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M5M5V208AKV-70HIST MSL M5M5V208AKV-70HIST Storage - 散裝 128K X16, SRAM 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL HN58C257AT85E MSL HN58C257AT85E Storage - 散裝 HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL IS42S16800E-7TL-TR MSL IS42S16800E-7TL-TR Storage 54-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:143 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL BR25160-10TU-2.7 MSL BR25160-10TU-2.7 Storage 8-TSSOP-B 卷帶(TR) IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62147GE18-55BVXIT MSL CY62147GE18-55BVXIT Storage 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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