Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 71421LA20JG8 MSL 71421LA20JG8 Storage 52-PLCC(19.13x19.13) 卷帶(TR) IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:20ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 71V124SA10TYG8 MSL 71V124SA10TYG8 Storage 32-SOJ 卷帶(TR) IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3.15V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL M29W800DB70N6T TR MSL M29W800DB70N6T TR Storage 48-TSOP I 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8,512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MX30UF1G18AC-XKI MSL MX30UF1G18AC-XKI Storage 63-VFBGA(9x11) 託盤 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W9425G6EH-5 MSL W9425G6EH-5 Storage 66-TSOP II 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W632GU8QB-09 TR MSL W632GU8QB-09 TR Storage 78-VFBGA(8x10.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.067 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL W632GU6QB-12 MSL W632GU6QB-12 Storage 96-VFBGA(7.5x13) 託盤 IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:800 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL CY7C1011DV33-10BVIT MSL CY7C1011DV33-10BVIT Storage 48-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W29N01HZDINA MSL W29N01HZDINA Storage 48-VFBGA(8x6.5) 託盤 IC FLASH 1GBIT 48-VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W66BQ6NBUAFJ TR MSL W66BQ6NBUAFJ TR Storage 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:LVSTL_11|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)

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