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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E |
Storage |
63-VFBGA(9x11) |
託盤 |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL S29GL064S80FHV020 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
託盤 |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8,4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:80 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL AT24C128W-10SC |
Storage |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128Kb|記憶體組織:16K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IS61WV12824-8BL-TR |
Storage |
119-PBGA(14x22) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:3Mb|記憶體組織:128K x 24|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:8ns|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AT25320AN-10SI-1.8-T |
Storage |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 32KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MB85R8M1TAFN-G-JAE2 |
Storage |
44-TSOP |
託盤 |
IC FRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:120ns|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS62WV12816FBLL-45TLI-TR |
Storage |
44-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 2MBIT PAR |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S29GL256S10FHIV20 |
Storage |
64-FBGA(13x11) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT48LC32M16A2P-79 IT:C TR |
Storage |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61LF102418B-6.5TQLI |
Storage |
100-LQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:6.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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