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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL NM93C46ALEM8 |
Storage |
8-SOIC |
散裝 |
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8,64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:250 kHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL LE24CB642MC-AE |
Storage |
8-MFP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ 8MFP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NDS76PT5-20ET TR |
Storage |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL AS7C34096A-12JCN |
Storage |
36-SOJ |
管件 |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S25FL116K0XNFIQ13 |
Storage |
8-WSON(5x6) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL S26KS256SDABHB030 |
Storage |
24-FBGA(6x8) |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT HYPERBUS 24FBGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:96 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL NM24C08LN |
Storage |
8-DIP |
管件 |
IC EEPROM 8KBIT I2C 100KHZ 8DIP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms|訪問時間:3.5 µs|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL 70V9279L7PRFGI |
Storage |
128-TQFP(14x20) |
託盤 |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 128TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:512Kb|記憶體組織:32K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS61WV20488FBLL-10T2LI-TR |
Storage |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC SRAM 16MBIT PAR |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT48H16M32L2F5-8 IT TR |
Storage |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:125 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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