Storage

Storage

From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL SST39VF1681-70-4I-EKE-T MSL SST39VF1681-70-4I-EKE-T Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10µs|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25010AN-10SI-2.7 MSL AT25010AN-10SI-2.7 Storage 8-SOIC 管件 IC EEPROM 1KBIT SPI 20MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M24C02-RMC6TG MSL M24C02-RMC6TG Storage 8-UFDFPN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1399B-12ZC MSL CY7C1399B-12ZC Storage 28-TSOP I 袋 IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W29N04KZSIBG TR MSL W29N04KZSIBG TR Storage 48-TSOP 卷帶(TR) IC FLASH 4GBIT ONFI 48TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns,700µs|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT29C040A-15PI MSL AT29C040A-15PI Storage 32-PDIP 管件 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT24HC02C-XHM-T MSL AT24HC02C-XHM-T Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL BR24G64FJ-3GTE2 MSL BR24G64FJ-3GTE2 Storage 8-SOP-J 卷帶(TR) IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS62WV10248HBLL-45TLI-TR MSL IS62WV10248HBLL-45TLI-TR Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 8MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25XE041B-SSHN-T MSL AT25XE041B-SSHN-T Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8µs,2.79ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)

Online Message

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *Required fields