Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL FM25VN10-G MSL FM25VN10-G Storage 8-SOIC 管件 IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:40 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IDT71V416VS15PHG8 MSL IDT71V416VS15PHG8 Storage 44-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 11LC160-E/MS MSL 11LC160-E/MS Storage 8-MSOP 管件 IC EEPROM 16KBIT SGL WIRE 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL PEF98036ETV1.3-G MSL PEF98036ETV1.3-G Storage - 散裝 FALC ONT SOC 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL S25FL256SAGBHA200 MSL S25FL256SAGBHA200 Storage 24-BGA(8x6) 託盤 IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25Q128JWEIN TR MSL W25Q128JWEIN TR Storage 8-WSON(8x6) 卷帶(TR) IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1370DV25-200AXCT MSL CY7C1370DV25-200AXCT Storage 100-TQFP(14x20) 散裝 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT48H8M32LFB5-10 TR MSL MT48H8M32LFB5-10 TR Storage 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 7142LA25JGI MSL 7142LA25JGI Storage 52-PLCC(19.13x19.13) 管件 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PLCC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:16Kb|記憶體組織:2K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 71V65603S100PFGI8 MSL 71V65603S100PFGI8 Storage 100-TQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR(ZBT)|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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