Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL M93C66-RMN3TP/K MSL M93C66-RMN3TP/K Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8,256 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL 25C080T/SN MSL 25C080T/SN Storage 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT SPI 3MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:3 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL R1EX24032ASAS0A#U0 MSL R1EX24032ASAS0A#U0 Storage - 散裝 EEPROM, 4KX8, SERIAL 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL MT25QL128ABA1ESE-0SIT MSL MT25QL128ABA1ESE-0SIT Storage 8-SO 託盤 IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,2.8ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT41K512M8RG-107:N TR MSL MT41K512M8RG-107:N TR Storage 78-FBGA(7.5x10.6) 卷帶(TR) IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:0°C ~ 95°C(TC)
MSL AS6C4008-70SANTR MSL AS6C4008-70SANTR Storage 32-SOP 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PAR 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR MSL IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR Storage 48-TFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:2Mb|記憶體組織:128K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL W25Q64JVTBIQ MSL W25Q64JVTBIQ Storage 24-TFBGA(8x6) 託盤 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL MT41K64M16TW-107 AIT:J MSL MT41K64M16TW-107 AIT:J Storage 96-FBGA(8x14) 散裝 IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
MSL AS4C4M32D1A-5BIN MSL AS4C4M32D1A-5BIN Storage 144-LFBGA(12x12) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 144LFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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