Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL MB85RC512TPNF-G-JNE1 MSL MB85RC512TPNF-G-JNE1 Storage 8-SOP 管件 IC FRAM 512KBIT I2C 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:FRAM|技術:FRAM(鐵電體 RAM)|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:3.4 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:130 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL RC28F640P30B85B MSL RC28F640P30B85B Storage - 散裝 FLASH, 4MX16, 85NS, PBGA64 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL NSEC53K004-AT MSL NSEC53K004-AT Storage 153-FBGA(11.5x13) 託盤 IC FLASH 32GBIT EMMC 153FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:eMMC_5|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL 71V67603S166BQ MSL 71V67603S166BQ Storage 165-CABGA(13x15) 託盤 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MX66UW2G345GXRR00 MSL MX66UW2G345GXRR00 Storage 24-TFBGA(5x5) 散裝 IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 24CSPBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:2Gb|記憶體組織:256M x 8|記憶體介面:SPI - 八 I/O|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.65V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 105°C
MSL FT24C04A-KNR-T MSL FT24C04A-KNR-T Storage 8-UDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8UDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:550 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL MX29LV040CTC-70G MSL MX29LV040CTC-70G Storage 32-TSOP 託盤 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C TR MSL MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C TR Storage 100-VBGA(12x18) 卷帶(TR) IC FLASH 16GBIT PARALLEL 100VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:16Gb|記憶體組織:2G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT49BV040-90VC MSL AT49BV040-90VC Storage 32-VSOP 託盤 IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32VSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:90 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL DS1250AB-70IND+ MSL DS1250AB-70IND+ Storage 32-EDIP 管件 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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