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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IS43LD32320D-18BLI-TR |
Storage |
134-VFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.5 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR |
Storage |
48-TFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 8MBIT PAR |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:8Mb|記憶體組織:512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL NSEC00K004-IT |
Storage |
100-BGA(14x18) |
託盤 |
IC FLASH 32GBIT EMMC 100BGA |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(MLC)|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:eMMC|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
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MSL CY14B256L-SP45XI |
Storage |
48-SSOP |
管件 |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS62WV5128EALL-55TLI |
Storage |
32-TSOP I |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 2.2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IM1216SDBABG-6I |
Storage |
54-FBGA(8x8) |
託盤 |
SDRAM, 128MB, 3.3V, 8MX16, 166MH |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:LVTTL|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C0830AV-167BBC |
Storage |
144-FBGA(13x13) |
散裝 |
IC SRAM 1.152MBIT PAR 144FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:1.152Mb|記憶體組織:64K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL S29GL256S11TFV020 |
Storage |
56-TSOP |
託盤 |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:60ns|訪問時間:110 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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MSL IS43LD32128B-25BPLI |
Storage |
168-VFBGA(12x12) |
託盤 |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:128M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL IS25LP064D-JKLE-TR |
Storage |
8-WSON(6x5) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI,DTR|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:40µs,800µs|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) |
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