Storage

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From Product Number Category 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL GD25Q80CS2GR MSL GD25Q80CS2GR Storage 8-SOP 卷帶(TR) IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:80 MHz|寫週期時間 - 字,頁:60µs,4ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL M24C32-DFMC6TG MSL M24C32-DFMC6TG Storage 8-UFDFPN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 32KBIT I2C 8UFDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1361A-100ACT MSL CY7C1361A-100ACT Storage 100-TQFP(14x20) 散裝 IC SRAM 9MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:9Mb|記憶體組織:256K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:8 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL W25Q128JWFIQ MSL W25Q128JWFIQ Storage 16-SOIC 託盤 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:16M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL IS45S32400F-6BLA2 MSL IS45S32400F-6BLA2 Storage 90-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
MSL CAV25080YE-GT3 MSL CAV25080YE-GT3 Storage 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT SPI 20MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:20 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL IS42S16400J-5BL MSL IS42S16400J-5BL Storage 54-TFBGA(8x8) 託盤 IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.8 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL S25FL256SAGMFB010 MSL S25FL256SAGMFB010 Storage - 散裝 S25FL256S - 256-Mbit, 3.0V CMOS 記憶體類型:-|記憶體格式:-|技術:-|存儲容量:-|記憶體組織:-|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:-
MSL M30162040054X0IWAR MSL M30162040054X0IWAR Storage 8-DFN(5x6) 卷帶(TR) IC RAM 16MBIT 54MHZ 8DFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:4M x 4|記憶體介面:-|時鐘頻率:54 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL AS4C64M16D1-6TCNTR MSL AS4C64M16D1-6TCNTR Storage 66-TSOP II 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:700 ps|電壓 - 供電:2.3V ~ 2.7V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)

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