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Product Number |
Category |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MT48LC32M16A2P-79:C TR |
Storage |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1312KV18-250BZXI |
Storage |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IS62WV102416EALL-55BLI |
Storage |
48-VFBGA(6x8) |
託盤 |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:55ns|訪問時間:55 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 1.98V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT41J64M16JT-15E AIT:G TR |
Storage |
96-FBGA(8x14) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL 11AA010T-I/MS |
Storage |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT SGL WIRE 8MSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 71V3579S79PFGI8 |
Storage |
100-TQFP(14x14) |
卷帶(TR) |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:4.5Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:117 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:7.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K TR |
Storage |
149-WFBGA(8x9.5) |
卷帶(TR) |
IC FLASH RAM 4GBIT ONFI 149WFBGA |
記憶體類型:非易失性,易失性|記憶體格式:FLASH,RAM|技術:FLASH - NAND(SLC),DRAM - LPDDR4|存儲容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDDR4)|記憶體組織:512M x 8(NAND),128M x 32(LPDDR4)|記憶體介面:ONFI|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:30ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W631GU6NB11I |
Storage |
96-VFBGA(7.5x13) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT PAR 96VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3L|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:933 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.283V ~ 1.45V,1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL IS43DR16160A-5BBLI-TR |
Storage |
84-TWBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:600 ps|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL RMLV0816BGSD-4S2#AA1 |
Storage |
52-TSOP II |
託盤 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:8Mb|記憶體組織:1M x 8,512K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.4V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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